P沟道场效应管

IRLMS5703

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 400.0mΩ
  • Qg(Typ): 7.2nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML2246

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.9nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

MMBFJ270_R2_00001

MMBFJ270_R2_00001

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRFU5305

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 65mΩ
  • Qg(Typ): 42nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 89W
  • Id@TC 25C: -18A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

MMBFJ270

MMBFJ270

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7424PBF-1

IRF7424PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
  • Qg(Typ): 75nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF4905L

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -74A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRFH9310

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 7.1mΩ
  • Qg(Typ): 58.0nC
  • Rth(JC): 1.6K/W
  • Id@TC 25C: -40A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML6401

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
  • Qg(Typ): 10.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9310

IRF9310

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ
  • Qg(Typ): 58.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7416

IRF7416

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
  • Qg(Typ): 61.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9Z34NS

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 68W
  • Id@TC 25C: 19A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRFHM9331

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
  • Qg(Typ): 16.0nC
  • Rth(JC): 6.0K/W
  • Id@TC 25C: -24A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRFHM9391

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.5mΩ
  • Qg(Typ): 32.0nC
  • Rth(JC): 3.8K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 33W
  • Id@TC 25C: -38A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML9301

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 64.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 103.0mΩ
  • Qg(Typ): 4.8nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管