N沟道场效应管

2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5250D

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

2N4858A-E3

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3205L

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR7440

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8721PBF-1

IRF8721PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3709

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 90A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7434-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
  • Id: 362A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6633A

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.6mΩ
  • Id: 69A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7734

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 183A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2804

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.3mΩ
  • Id: 280A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

BFT46,215

BFT46,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

2SK209-BL(TE85L,F)

2SK209-BL(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:14 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3705NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
  • Id: 89A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管