N沟道场效应管

IRLR120N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 185.0mΩ
  • Id: 11A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3709Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRLH6224

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
  • Id: 105A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8707PBF-1

IRF8707PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-07-06 Tag标签:N沟道场效应管

3SK264-5-TG-E

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Gate
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Gate Source Voltage:8 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3607

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRL2505S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 104A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3703

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.8mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRFY240

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 180.0mΩ
  • Id: 10.2A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-06 Tag标签:N沟道场效应管

PMBF4393,215

PMBF4393,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-06 Tag标签:N沟道场效应管

J112

J112

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR7446

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.9mΩ
  • Id: 120A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-06 Tag标签:N沟道场效应管

PF5102

PF5102

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-06 Tag标签:N沟道场效应管

2SK932-22-TB-E

2SK932-22-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3709Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.3mΩ
  • Id: 87A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-06 Tag标签:N沟道场效应管