N沟道场效应管

IRFB38N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 54.0mΩ
  • Id: 44A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRL1404S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.0mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4620

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 78.0mΩ
  • Id: 24A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7413

IRF7413

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR7821

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
  • Id: 65A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4868

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 300V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 32.0mΩ
  • Id: 70A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6619

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRLB3034

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.7mΩ
  • Id: 343A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ113,215

PMBFJ113,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR4104

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.5mΩ
  • Id: 119A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3315

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
  • Id: 21A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4410

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
  • Id: 96A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3707Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.5mΩ
  • Id: 39A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-55143-BLKG

ATF-55143-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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IRFSL4410Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 97A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管