N沟道场效应管

IRFB7540

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.1mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU8743

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.1mΩ
  • Id: 113A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR7843

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 161A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRLS4030

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 4.3mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRLB8748

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
  • Id: 92A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP2907Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 170A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

2SK880-GR(TE85L,F)

2SK880-GR(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:6.5 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRLS3813

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.95mΩ
  • Id: 247A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3411

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 32A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4227

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 25.0mΩ
  • Id: 65A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ44V

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.5mΩ
  • Id: 55A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3557-6-TB-E

2SK3557-6-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRF640NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7787

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 76A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-541M4-TR2

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:5 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管