更新于 2025-07-07
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.6mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ
- Qg(Typ): 110nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
IRF9310PBF-1
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- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 65mΩ,Qg(Typ): 42nC,Rth(JC): 1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C: 89W,Id@TC 25C: -18A
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ,Qg(Typ): 64.7nC,Rth(JC): 1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C: 3.8W,Id@TC 25C: -23A
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -12V,Vgs: 8V,RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ,Qg(Typ): 38nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ,Qg(Typ): 2.9nC,Rth(JC): 100 (JA)K/W