双N-双P沟道MOS管
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 46mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 222mΩ
- Rth(JA): 100℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 290mΩ
- Rth(JA): 90℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 270mΩ
- Rth(JA): 100℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 200mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 11.3m?Ω
- Rth(JA): 62.5(JA)℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 65℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 21.3mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 160.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 100.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 250.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 9.4nC
- Qg Typ P-ch: 10.0nC
- Qgd Typ N-ch: 3.1nC
- Qgd Typ P-ch: 2.8nC
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 62.5(JA)℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 23.8mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 29mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -12V
- Vgs(Max): 8V
- RDS(on) Max@4.5V: 17mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 160.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 100.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 250.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 9.4nC
- Qg Typ P-ch: 10.0nC
- Qgd Typ N-ch: 3.1nC
- Qgd Typ P-ch: 2.8nC
- Rth(JA): 62.5℃/W
更新于 2025-11-07