P沟道场效应管

IRF7321D2

IRF7321D2

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 62.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 98.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

PMBFJ174,215

PMBFJ174,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:135 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

MMBFJ177

MMBFJ177

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7726

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 46.0nC
  • Rth(JC): 70 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5305S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 42.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -31A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9328

IRF9328

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7406PBF-1

IRF7406PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
  • Qg(Typ): 39.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9393

IRF9393

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
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IRF7404

IRF7404

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 33.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML6401TRPBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
  • Qg(Typ): 10.0nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRLMS6702

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.8nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5803

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6215

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ
  • Qg(Typ): 44.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -13A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7424

IRF7424

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
  • Qg(Typ): 75.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRFU5305

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 65mΩ
  • Qg(Typ): 42nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 89W
  • Id@TC 25C: -18A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管