P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 37.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
• Qg(Typ): 6.9nC
• Rth(JC): 13K/W
• Id@TC 25C: -13A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
• Qg(Typ): 18.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 25V
• RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
• Qg(Typ): 14.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -12V
• Vgs: 8V
• RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
• Qg(Typ): 10.0nC
• Rth(JC): 75 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
• Qg(Typ): 21.3nC
• Rth(JC): 2.2K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 57W
• Id@TC 25C: -18A

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 65.0mΩ
• Qg(Typ): 42.0nC
• Rth(JC): 1.4K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 89W
• Id@TC 25C: -28A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 25V
• RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
• Qg(Typ): 16.0nC
• Rth(JC): 6.0K/W
• Id@TC 25C: -24A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
• Qg(Typ): 61.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
• Qg(Typ): 23.3nC
• Rth(JC): 2.7K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 56W
• Id@TC 25C: -17A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -150V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
• Qg(Typ): 21.0nC
• Rth(JC): 0.61K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 250W
• Id@TC 25C: -27A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 600.0mΩ
• Qg(Typ): 2.4nC
• Rth(JC): 230 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
• Qg(Typ): 64.7nC
• Rth(JC): 1.1K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 140W
• Id@TC 25C: -23A

电气特性 Features