P沟道场效应管

IRF9317

IRF9317

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 10.2mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-07-30 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9321

IRF9321

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.2m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 11.2mΩ
  • Qg(Typ): 34.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-07-30 Tag标签:P沟道场效应管

J177_D27Z

J177_D27Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2026-07-30 Tag标签:P沟道场效应管

IRF4905

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -74A
P沟道场效应管 更新于 2026-07-30 Tag标签:P沟道场效应管

2N5115JTXV02

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2026-07-30 Tag标签:P沟道场效应管

IRLIB9343

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 3.84K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 33W
  • Id@TC 25C: -14A
P沟道场效应管 更新于 2026-07-30 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6218S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.0nC
  • Rth(JC): 0.61K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 250W
  • Id@TC 25C: -27A
P沟道场效应管 更新于 2026-07-30 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9383M

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.9mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 4.8m?
  • Qg(Typ): 130.0nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 113W
P沟道场效应管 更新于 2026-07-30 Tag标签:P沟道场效应管

IRFR5410

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 66W
  • Id@TC 25C: 13A
P沟道场效应管 更新于 2026-07-30 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML5203

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 9.5nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-07-30 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9540NL

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
  • Qg(Typ): 64.7nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 140W
  • Id@TC 25C: -23A
P沟道场效应管 更新于 2026-07-30 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9530N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 79W
  • Id@TC 25C: -14A
P沟道场效应管 更新于 2026-07-30 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML2246

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.9nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-07-30 Tag标签:P沟道场效应管

IRFU5505

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 57W
  • Id@TC 25C: -18A
P沟道场效应管 更新于 2026-07-30 Tag标签:P沟道场效应管

IRLMS6702PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.8nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-07-30 Tag标签:P沟道场效应管