P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ
• Qg(Typ): 3.4nC
• Rth(JC): 230 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
• Qg(Typ): 25.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
• Qg(Typ): 120.0nC
• Rth(JC): 0.75K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 200W
• Id@TC 25C: -74A

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
• Qg(Typ): 120.0nC
• Rth(JC): 0.75K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 200W
• Id@TC 25C: -40A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
• Qg(Typ): 75nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 25V
• RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
• Qg(Typ): 16.0nC
• Rth(JC): 6.0K/W
• Id@TC 25C: -24A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 7.2m?
• RDS(on) Max@4.5V: 11.2mΩ
• Qg(Typ): 34.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 25V
• RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
• Qg(Typ): 18.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
• Qg(Typ): 40.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 59.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 110.0mΩ
• Qg(Typ): 4.7nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -12V
• Vgs: 8V
• RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
• Qg(Typ): 91.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 40.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 66.0mΩ
• Qg(Typ): 12.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 400.0m?
• Qg(Typ): 7.5nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W