P沟道场效应管

电气特性 Features

• 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
• Qg(Typ): 25.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ
• Qg(Typ): 25.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 7.2m?
• RDS(on) Max@4.5V: 11.2mΩ
• Qg(Typ): 34.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
• Qg(Typ): 46.0nC
• Rth(JC): 70 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 600.0mΩ
• Qg(Typ): 2.4nC
• Rth(JC): 230 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 15.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 25.0mΩ
• Qg(Typ): 73.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• Id@TC 25C: -5.3A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 65.0mΩ
• Qg(Typ): 42.0nC
• Rth(JC): 1.4K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 89W
• Id@TC 25C: -28A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
• Qg(Typ): 120.0nC
• Rth(JC): 0.75K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 170W
• Id@TC 25C: -40A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 205mΩ
• Qg(Typ): 38.7nC
• Rth(JC): 1.9K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 66W
• Id@TC 25C: -8.2A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
• Qg(Typ): 42.0nC
• Rth(JC): 1.4K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 110W
• Id@TC 25C: -31A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -150V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 580mΩ
• Qg(Typ): 44nC
• Rth(JC): 1.4K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 110W
• Id@TC 25C: -9A

电气特性 Features