P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ
• Qg(Typ): 87.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 37.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
• Qg(Typ): 6.9nC
• Rth(JC): 13K/W
• Id@TC 25C: -13A

电气特性 Features

• 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
• Qg(Typ): 26.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 59.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 110.0mΩ
• Qg(Typ): 4.7nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 17.5m?
• RDS(on) Max@4.5V: 28.1mΩ
• Qg(Typ): 14.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• Id@TC 25C: -5.3A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ
• Qg(Typ): 3.4nC
• Rth(JC): 230 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 2.9mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 4.8m?
• Qg(Typ): 130.0nC
• Rth(JC): 1.1K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 113W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
• Qg(Typ): 120.0nC
• Rth(JC): 0.75K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 170W
• Id@TC 25C: -74A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ
• Qg(Typ): 27nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
• Qg(Typ): 42.0nC
• Rth(JC): 1.4K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 110W
• Id@TC 25C: -31A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
• Qg(Typ): 12.7nC
• Rth(JC): 3.3K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 38W
• Id@TC 25C: 11A