更新于 2025-09-16电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
- Qg(Typ): 9.5nC
- Rth(JC): 100 (JA)K/W
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- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ,Qg(Typ): 46.0nC,Rth(JC): 70 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 7.2m?,RDS(on) Max@4.5V: 11.2mΩ,Qg(Typ): 34.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
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- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 25V,RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ,Qg(Typ): 16.0nC,Rth(JC): 6.0K/W,Id@TC 25C: -24A