P沟道场效应管

IRFTS9342

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 66.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:P沟道场效应管

IRLMS6702

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.8nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7410

IRF7410

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
  • Qg(Typ): 91.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:P沟道场效应管

PMBFJ177,215

PMBFJ177,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:20 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9Z34NL

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 68W
  • Id@TC 25C: -19A
P沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:P沟道场效应管

IRLIB9343

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 3.84K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 33W
  • Id@TC 25C: -14A
P沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7410PBF-1

IRF7410PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
  • Qg(Typ): 91.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML2244

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 54.0mΩ
  • Qg(Typ): 6.9nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:P沟道场效应管

IRF4905S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 170W
  • Id@TC 25C: -74A
P沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML9303

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 165.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9383M

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.9mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 4.8m?
  • Qg(Typ): 130.0nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 113W
P沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:P沟道场效应管

IRFU9120N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480mΩ
  • Qg(Typ): 18nC
  • Rth(JC): 3.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 39W
  • Id@TC 25C: -4.1A
P沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:P沟道场效应管

IRFU5505

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 57W
  • Id@TC 25C: -18A
P沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7205PBF-1

IRF7205PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ
  • Qg(Typ): 27nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9392

IRF9392

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:P沟道场效应管