P沟道场效应管

IRFU9024N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 38W
  • Id@TC 25C: -8A
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9Z34NL

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 68W
  • Id@TC 25C: -19A
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRFR5305

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 65.0mΩ
  • Qg(Typ): 42.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 89W
  • Id@TC 25C: -28A
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9321

IRF9321

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.2m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 11.2mΩ
  • Qg(Typ): 34.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

J176

J176

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML5203

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 9.5nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

J176_D74Z

J176_D74Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRLU9343

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ
  • Qg(Typ): 31nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 79W
  • Id@TC 25C: -14A
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7425

IRF7425

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ
  • Qg(Typ): 87.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9333

IRF9333

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 32.5mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRLMS6702

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.8nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7406PBF-1

IRF7406PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
  • Qg(Typ): 39.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRLR9343

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 79W
  • Id@TC 25C: -20A
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5803D2

IRF5803D2

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML2246TRPBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.9nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管