更新于 2026-09-13电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 31.0mΩ
- Qg(Typ): 12.0nC
- Rth(JC): 13K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 9.6W
- Id@TC 25C: -15A
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- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ,Qg(Typ): 5.8nC,Rth(JC): 75 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ,Qg(Typ): 25.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ,Qg(Typ): 75nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -150V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ,Qg(Typ): 6.0nC,Rth(JC): 20K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ,Qg(Typ): 27nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W