P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
• Qg(Typ): 9.5nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -150V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ
• Qg(Typ): 6nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 25V
• RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 22.5mΩ
• Qg(Typ): 32.0nC
• Rth(JC): 3.8K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 33W
• Id@TC 25C: -38A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 400.0mΩ
• Qg(Typ): 7.2nC
• Rth(JC): 75 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -150V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 580.0mΩ
• Qg(Typ): 44.0nC
• Rth(JC): 1.4K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 110W
• Id@TC 25C: 13A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
• Qg(Typ): 120.0nC
• Rth(JC): 0.75K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 200W
• Id@TC 25C: -74A

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 25V
• RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
• Qg(Typ): 16.0nC
• Rth(JC): 6.0K/W
• Id@TC 25C: -24A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 4.6m?
• RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ
• Qg(Typ): 58.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
• Qg(Typ): 46.0nC
• Rth(JC): 70 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
• Qg(Typ): 12.7nC
• Rth(JC): 3.3K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 45W
• Id@TC 25C: -12A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
• Qg(Typ): 25.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
• Qg(Typ): 38.7nC
• Rth(JC): 1.9K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 79W
• Id@TC 25C: -14A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ
• Qg(Typ): 87.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features