P沟道场效应管

PMBFJ176,215

PMBFJ176,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:35 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5806

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@4.5V: 86.0mΩ
  • Qg(Typ): 8.3nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 2.0W
  • Id@TC 25C: -4.0A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:P沟道场效应管

IRFU5505

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 57W
  • Id@TC 25C: -18A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9Z34NL

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 68W
  • Id@TC 25C: -19A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:P沟道场效应管

IRFR5410

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 66W
  • Id@TC 25C: 13A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:P沟道场效应管

IRLHS2242

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 31.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.0nC
  • Rth(JC): 13K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 9.6W
  • Id@TC 25C: -15A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:P沟道场效应管

IRFR9120N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 39W
  • Id@TC 25C: -6.5A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6217

IRF6217

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ
  • Qg(Typ): 6.0nC
  • Rth(JC): 20K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML6402

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
  • Qg(Typ): 8.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:P沟道场效应管

MMBFJ175LT1G

MMBFJ175LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9388

IRF9388

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6215S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ
  • Qg(Typ): 44.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -13A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5305S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 42.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -31A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:P沟道场效应管

IRF4905S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 170W
  • Id@TC 25C: -74A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:P沟道场效应管

PMBFJ174,215

PMBFJ174,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:135 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:P沟道场效应管