更新于 2025-07-06电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 25V
- RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
- Qg(Typ): 16.0nC
- Rth(JC): 6.0K/W
- Id@TC 25C: -24A
相关文章
- 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 400.0m?,Qg(Typ): 7.5nC,Rth(JC): 100 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ,Qg(Typ): 32.7nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 25V,RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ,Qg(Typ): 18.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
- 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 62.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 98.0mΩ,Qg(Typ): 23.0nC,Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 175mΩ,Qg(Typ): 12.7nC,Rth(JC): 3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C: 38W,Id@TC 25C: -8A