更新于 2026-06-15
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ
- Qg(Typ): 87.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
IRF7425PBF-1
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- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ,Qg(Typ): 27nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ,Qg(Typ): 11.0nC,Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 32.5mΩ,Qg(Typ): 14.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 13.5m?,RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ,Qg(Typ): 75.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W