P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
• Qg(Typ): 64.7nC
• Rth(JC): 1.1K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 140W
• Id@TC 25C: -23A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -150V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 240.0mΩ
• Qg(Typ): 33.0nC
• Rth(JC): 20K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
• Qg(Typ): 40.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ
• Qg(Typ): 38.7nC
• Rth(JC): 1.9K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 66W
• Id@TC 25C: 13A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 2.9mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 4.8m?
• Qg(Typ): 130.0nC
• Rth(JC): 1.1K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 113W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
• Qg(Typ): 8.0nC
• Rth(JC): 75 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -12V
• Vgs: 8V
• RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
• Qg(Typ): 91.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 15.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 25.0mΩ
• Qg(Typ): 73.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 480mΩ
• Qg(Typ): 18nC
• Rth(JC): 3.2K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 39W
• Id@TC 25C: -4.1A

电气特性 Features

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 175mΩ
• Qg(Typ): 12.7nC
• Rth(JC): 3.3K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 38W
• Id@TC 25C: -8A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 4.6mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ
• Qg(Typ): 110nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 25V
• RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ
• Qg(Typ): 14.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W