P沟道场效应管

PMBFJ176,215

PMBFJ176,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:35 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9520N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 48W
  • Id@TC 25C: -6.8A
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6216

IRF6216

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 240.0mΩ
  • Qg(Typ): 33.0nC
  • Rth(JC): 20K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

MMBFJ177LT1G

MMBFJ177LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9540N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
  • Qg(Typ): 64.7nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 140W
  • Id@TC 25C: -23A
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9Z34NS

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 68W
  • Id@TC 25C: 19A
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

MMBFJ270

MMBFJ270

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5305

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 42.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -31A
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML9301

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 64.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 103.0mΩ
  • Qg(Typ): 4.8nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

J175_D26Z

J175_D26Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

MMBF5460

MMBF5460

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRFR5410

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 66W
  • Id@TC 25C: 13A
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRLHS2242

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 31.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.0nC
  • Rth(JC): 13K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 9.6W
  • Id@TC 25C: -15A
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9Z34N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.7K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 56W
  • Id@TC 25C: -17A
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML5103

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ
  • Qg(Typ): 3.4nC
  • Rth(JC): 230 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:P沟道场效应管