P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -12V
• Vgs: 8V
• RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
• Qg(Typ): 91.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 45.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
• Qg(Typ): 39.3nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
• Qg(Typ): 12.7nC
• Rth(JC): 3.3K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 45W
• Id@TC 25C: -12A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 20.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
• Qg(Typ): 61.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
• Qg(Typ): 18.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 41.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
• Qg(Typ): 53.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
• Qg(Typ): 18.0nC
• Rth(JC): 3.1K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
• Id@TC 25C: -6.8A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -150V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
• Qg(Typ): 21.0nC
• Rth(JC): 0.61K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 250W
• Id@TC 25C: -27A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 54.0mΩ
• Qg(Typ): 6.9nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
• Qg(Typ): 33.3nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
• Qg(Typ): 26.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
• Qg(Typ): 64.7nC
• Rth(JC): 1.1K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 140W
• Id@TC 25C: -23A

电气特性 Features