P沟道场效应管

IRF6218S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.0nC
  • Rth(JC): 0.61K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 250W
  • Id@TC 25C: -27A
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

PMBFJ176,215

PMBFJ176,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:35 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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IRLML9301

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 64.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 103.0mΩ
  • Qg(Typ): 4.8nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
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IRFU5505

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 57W
  • Id@TC 25C: -18A
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRLMS5703

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 400.0mΩ
  • Qg(Typ): 7.2nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9333

IRF9333

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 32.5mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRFTS9342

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 66.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9Z24N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 45W
  • Id@TC 25C: -12A
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IRF7524D1

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.4nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRFU6215

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 580mΩ
  • Qg(Typ): 44nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -9A
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IRLMS6702

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.8nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5803

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRLU9343

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ
  • Qg(Typ): 31nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 79W
  • Id@TC 25C: -14A
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IRF7406

IRF7406

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
  • Qg(Typ): 39.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
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IRF7240

IRF7240

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 25.0mΩ
  • Qg(Typ): 73.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管