P沟道场效应管

IRLML5103

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ
  • Qg(Typ): 3.4nC
  • Rth(JC): 230 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML6401

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
  • Qg(Typ): 10.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5305S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 42.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -31A
P沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7204

IRF7204

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9383M

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.9mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 4.8m?
  • Qg(Typ): 130.0nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 113W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9Z24N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 45W
  • Id@TC 25C: -12A
P沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:P沟道场效应管

MMBFJ175LT1G

MMBFJ175LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:P沟道场效应管

IRFU9024N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 38W
  • Id@TC 25C: -8A
P沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7606

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 150.0mΩ
  • Qg(Typ): 20.0nC
  • Rth(JC): 70 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9520NS

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -6.8A
P沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9520N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 48W
  • Id@TC 25C: -6.8A
P沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML5203TRPBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 9.5nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9393

IRF9393

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML6302

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 600.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.4nC
  • Rth(JC): 230 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5210L

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -40A
P沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:P沟道场效应管