P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ
• Qg(Typ): 25.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 41.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
• Qg(Typ): 53.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
• Qg(Typ): 2.9nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -12V
• Vgs: 8V
• RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ
• Qg(Typ): 38nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
• Qg(Typ): 11.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
• Qg(Typ): 25.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
• Qg(Typ): 8.0nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -12V
• Vgs: 8V
• RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
• Qg(Typ): 10.0nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 25V
• RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
• Qg(Typ): 16.0nC
• Rth(JC): 6.0K/W
• Id@TC 25C: -24A

电气特性 Features

• 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
• Qg(Typ): 25.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
• Qg(Typ): 18.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ
• Qg(Typ): 27nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features