P沟道场效应管

IRF7425PBF-1

IRF7425PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ
  • Qg(Typ): 87.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9540NL

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
  • Qg(Typ): 64.7nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 140W
  • Id@TC 25C: -23A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRFU5410

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 205mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 66W
  • Id@TC 25C: -8.2A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7424PBF-1

IRF7424PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
  • Qg(Typ): 75nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRFU6215

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 580mΩ
  • Qg(Typ): 44nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -9A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9388

IRF9388

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5305

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 42.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -31A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML6402

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
  • Qg(Typ): 8.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRFP9140N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
  • Qg(Typ): 64.7nC
  • Rth(JC): 1.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 120W
  • Id@TC 25C: -21A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRFY9120

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • Id@TC 25C: -5.3A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9Z24N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 45W
  • Id@TC 25C: -12A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML5203

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 9.5nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7241

IRF7241

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 41.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
  • Qg(Typ): 53.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6218S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.0nC
  • Rth(JC): 0.61K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 250W
  • Id@TC 25C: -27A
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9328

IRF9328

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-06-15 Tag标签:P沟道场效应管