P沟道场效应管

IRF6217

IRF6217

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ
  • Qg(Typ): 6.0nC
  • Rth(JC): 20K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9388

IRF9388

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML2246

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.9nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7321D2

IRF7321D2

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 62.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 98.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRLHS2242

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 31.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.0nC
  • Rth(JC): 13K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 9.6W
  • Id@TC 25C: -15A
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MMBF5460

MMBF5460

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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IRF9392

IRF9392

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
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IRF7410

IRF7410

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
  • Qg(Typ): 91.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
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IRF9317

IRF9317

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 10.2mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
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IRFP9140N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
  • Qg(Typ): 64.7nC
  • Rth(JC): 1.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 120W
  • Id@TC 25C: -21A
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IRLR9343

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 79W
  • Id@TC 25C: -20A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6218S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.0nC
  • Rth(JC): 0.61K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 250W
  • Id@TC 25C: -27A
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IRF5805

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 11.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML9301

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 64.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 103.0mΩ
  • Qg(Typ): 4.8nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7416

IRF7416

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
  • Qg(Typ): 61.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管