P沟道场效应管

IRFU9024N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 38W
  • Id@TC 25C: -8A
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

MMBFJ177LT1G

MMBFJ177LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML6401TRPBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
  • Qg(Typ): 10.0nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7524D1

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.4nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5210

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0m?Ω
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -40A
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

PMBFJ175,215

PMBFJ175,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:70 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML9303

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 165.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

MMBF5461

MMBF5461

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

J176

J176

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
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IRF6216

IRF6216

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 240.0mΩ
  • Qg(Typ): 33.0nC
  • Rth(JC): 20K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7425PBF-1

IRF7425PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ
  • Qg(Typ): 87.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7240

IRF7240

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 25.0mΩ
  • Qg(Typ): 73.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7241

IRF7241

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 41.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
  • Qg(Typ): 53.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF4905

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -74A
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5305S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 42.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -31A
P沟道场效应管 更新于 2025-07-07 Tag标签:P沟道场效应管