P沟道场效应管

IRF6215S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ
  • Qg(Typ): 44.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -13A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6217PBF-1

IRF6217PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ
  • Qg(Typ): 6nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF4905L

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -74A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

J176_D26Z

J176_D26Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9393

IRF9393

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRFHM9391

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.5mΩ
  • Qg(Typ): 32.0nC
  • Rth(JC): 3.8K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 33W
  • Id@TC 25C: -38A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML9301

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 64.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 103.0mΩ
  • Qg(Typ): 4.8nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRFU6215

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 580mΩ
  • Qg(Typ): 44nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -9A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7726

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 46.0nC
  • Rth(JC): 70 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

J176_D74Z

J176_D74Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
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IRFU9120N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480mΩ
  • Qg(Typ): 18nC
  • Rth(JC): 3.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 39W
  • Id@TC 25C: -4.1A
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IRF9310PBF-1

IRF9310PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.6mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ
  • Qg(Typ): 110nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML6302

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 600.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.4nC
  • Rth(JC): 230 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7205PBF-1

IRF7205PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ
  • Qg(Typ): 27nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9333

IRF9333

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 32.5mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管