P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
• Qg(Typ): 8.0nC
• Rth(JC): 75 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -150V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 240.0mΩ
• Qg(Typ): 33nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 4.6mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ
• Qg(Typ): 110nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
• Qg(Typ): 64.7nC
• Rth(JC): 1.3K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 120W
• Id@TC 25C: -21A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 41.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
• Qg(Typ): 53.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 480mΩ
• Qg(Typ): 18nC
• Rth(JC): 3.2K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 39W
• Id@TC 25C: -4.1A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 600.0mΩ
• Qg(Typ): 2.4nC
• Rth(JC): 230 (JA)K/W

电气特性 Features

• 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
• Qg(Typ): 5.4nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
• Qg(Typ): 21.3nC
• Rth(JC): 2.2K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 57W
• Id@TC 25C: -18A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
• Qg(Typ): 23.3nC
• Rth(JC): 2.2K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 68W
• Id@TC 25C: 19A

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 4.6m?
• RDS(on) Max@4.5V: 7.1mΩ
• Qg(Typ): 58.0nC
• Rth(JC): 1.6K/W
• Id@TC 25C: -40A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 13.5m?
• RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
• Qg(Typ): 75.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 59.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 110.0mΩ
• Qg(Typ): 4.7nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W