P沟道场效应管

IRF7425PBF-1

IRF7425PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ
  • Qg(Typ): 87.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9520NS

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -6.8A
P沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9Z24N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 45W
  • Id@TC 25C: -12A
P沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9310

IRF9310

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ
  • Qg(Typ): 58.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7606

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 150.0mΩ
  • Qg(Typ): 20.0nC
  • Rth(JC): 70 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:P沟道场效应管

MMBF5461

MMBF5461

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7406PBF-1

IRF7406PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
  • Qg(Typ): 39.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9Z34NL

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 68W
  • Id@TC 25C: -19A
P沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9520N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 48W
  • Id@TC 25C: -6.8A
P沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9332

IRF9332

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 17.5m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 28.1mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9540NS

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
  • Qg(Typ): 64.7nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -23A
P沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:P沟道场效应管

MMBFJ270_R1_00001

MMBFJ270_R1_00001

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5210L

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -40A
P沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6215

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ
  • Qg(Typ): 44.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -13A
P沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:P沟道场效应管

IRFY9120

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • Id@TC 25C: -5.3A
P沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:P沟道场效应管