电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ
- Qg(Typ): 25.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
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- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 45.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ,Qg(Typ): 39.3nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@4.5V: 86.0mΩ,Qg(Typ): 8.3nC,Rth(JC): 62.5 (JA)K/W,Power Dissipation@TC 25C: 2.0W,Id@TC 25C: -4.0A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -150V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 580.0mΩ,Qg(Typ): 44.0nC,Rth(JC): 1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C: 110W,Id@TC 25C: 13A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 20.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ,Qg(Typ): 61.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W