电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ
- Qg(Typ): 25.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
相关文章
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -40V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 15.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 25.0mΩ,Qg(Typ): 73.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 105mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ,Qg(Typ): 31nC,Rth(JC): 1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C: 79W,Id@TC 25C: -14A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 70.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ,Qg(Typ): 27.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ,Qg(Typ): 33.3nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W