P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 54.0mΩ
• Qg(Typ): 6.9nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 41.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
• Qg(Typ): 53.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
• Qg(Typ): 18.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 60.0m?Ω
• Qg(Typ): 120.0nC
• Rth(JC): 0.75K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 200W
• Id@TC 25C: -40A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 37.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
• Qg(Typ): 6.9nC
• Rth(JC): 13K/W
• Id@TC 25C: -13A

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@4.5V: 86.0mΩ
• Qg(Typ): 8.3nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 2.0W
• Id@TC 25C: -4.0A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
• Qg(Typ): 40.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
• Qg(Typ): 5.8nC
• Rth(JC): 75 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
• Qg(Typ): 12.7nC
• Rth(JC): 3.3K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 45W
• Id@TC 25C: -12A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
• Qg(Typ): 8.0nC
• Rth(JC): 75 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ
• Qg(Typ): 3.4nC
• Rth(JC): 230 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 59.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 110.0mΩ
• Qg(Typ): 4.7nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 40.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 66.0mΩ
• Qg(Typ): 12.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W