P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 32.5mΩ
• Qg(Typ): 14.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
• Qg(Typ): 2.9nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 17.5m?
• RDS(on) Max@4.5V: 28.1mΩ
• Qg(Typ): 14.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 150.0mΩ
• Qg(Typ): 20.0nC
• Rth(JC): 70 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
• Qg(Typ): 18.0nC
• Rth(JC): 3.2K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 39W
• Id@TC 25C: -6.5A

电气特性 Features

• 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 62.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 98.0mΩ
• Qg(Typ): 23.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
• Qg(Typ): 120.0nC
• Rth(JC): 0.75K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 200W
• Id@TC 25C: -40A

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -150V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 240.0mΩ
• Qg(Typ): 33nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -12V
• Vgs: 8V
• RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ
• Qg(Typ): 38.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -12V
• Vgs: 8V
• RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
• Qg(Typ): 10.0nC
• Rth(JC): 75 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 41.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
• Qg(Typ): 53.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features