P沟道场效应管

IRF6215

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ
  • Qg(Typ): 44.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -13A
P沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:P沟道场效应管

IRLIB9343

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 3.84K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 33W
  • Id@TC 25C: -14A
P沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7404

IRF7404

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 33.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7410

IRF7410

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
  • Qg(Typ): 91.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:P沟道场效应管

IRLMS5703

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 400.0mΩ
  • Qg(Typ): 7.2nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7204

IRF7204

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:P沟道场效应管

IRLHS2242

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 31.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.0nC
  • Rth(JC): 13K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 9.6W
  • Id@TC 25C: -15A
P沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:P沟道场效应管

IRF4905S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 170W
  • Id@TC 25C: -74A
P沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML5203

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 9.5nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:P沟道场效应管

IRLU9343

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ
  • Qg(Typ): 31nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 79W
  • Id@TC 25C: -14A
P沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML6302

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 600.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.4nC
  • Rth(JC): 230 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:P沟道场效应管

IRF4905L

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -74A
P沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:P沟道场效应管

IRFU9120N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480mΩ
  • Qg(Typ): 18nC
  • Rth(JC): 3.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 39W
  • Id@TC 25C: -4.1A
P沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5803

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6217

IRF6217

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ
  • Qg(Typ): 6.0nC
  • Rth(JC): 20K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:P沟道场效应管