电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
- Qg(Typ): 5.8nC
- Rth(JC): 75 (JA)K/W
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -12V,Vgs: 8V,RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ,Qg(Typ): 38nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ,Qg(Typ): 42.0nC,Rth(JC): 1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C: 110W,Id@TC 25C: -31A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@4.5V: 31.0mΩ,Qg(Typ): 12.0nC,Rth(JC): 13K/W,Power Dissipation@TC 25C: 9.6W,Id@TC 25C: -15A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ,Qg(Typ): 75nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W