更新于 2025-11-06电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
- Qg(Typ): 5.8nC
- Rth(JC): 75 (JA)K/W
相关文章
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 65.0mΩ,Qg(Typ): 42.0nC,Rth(JC): 1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C: 89W,Id@TC 25C: -28A
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ,Qg(Typ): 9.5nC,Rth(JC): 100 (JA)K/W
- 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,Vbrdss: -40V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ,Qg(Typ): 25.0nC,Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,Id@TC 25C: -5.3A
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 25V,RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ,Qg(Typ): 16.0nC,Rth(JC): 6.0K/W,Id@TC 25C: -24A