N沟道场效应管

IRLML0040

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 56.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR2905Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 14.5mΩ
  • Id: 59A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7799L2

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 38.0mΩ
  • Id: 35A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

2N5564-2

电气特性 Features

Configuration:Dual
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3796-4-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM831

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.8mΩ
  • Id: 47A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFI4229

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 46.0mΩ
  • Id: 19A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-55143-TR2G

ATF-55143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3704Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 42A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB812

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 500V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2200.0mΩ
  • Id: 3.6A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-35143-BLKG

ATF-35143-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7450

IRF7450

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 170.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM830D

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.3mΩ
  • Id: 40A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7191

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4115

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.1mΩ
  • Id: 99A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管