N沟道场效应管

IRFS3107

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 230A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4668

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 9.7mΩ
  • Id: 130A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

BLF644PU

电气特性 Features

Configuration:Dual Common Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:65 V
Maximum Gate Source Voltage:11 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Screw
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4768

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
  • Id: 93A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4115

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.1mΩ
  • Id: 99A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRLI530N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Id: 11A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3717PBF-1

IRF3717PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.4mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3796-3-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF100B202

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.6mΩ
  • Id: 97A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ211

MMBFJ211

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3205

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 98A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3806

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.8mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

BFR31,235

BFR31,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF530N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
  • Id: 17A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRL7833

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 150A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管