N沟道场效应管

IRF3710Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 18.0mΩ
  • Id: 59A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3315

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
  • Id: 21A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

2SK596S-A

2SK596S-A

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:1 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-20 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6721S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.3mΩ
  • Id: 60A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

PMBF4393,215

PMBF4393,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7545

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
  • Id: 95A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP7430

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
  • Id: 404A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRL2505S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 104A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRLMS1503

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7832

IRF7832

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7730

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.6mΩ
  • Id: 246A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8321

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.9mΩ
  • Id: 83A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH3702

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.1mΩ
  • Id: 42A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

2SK932-24-TB-E

2SK932-24-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-38143-TR1G

ATF-38143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:4.5 V
Maximum Continuous Drain Current:145 mA
Maximum Gate Source Voltage:-4 V
Maximum Drain Gate Voltage:-4 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管