更新于 2026-06-16电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
- Qg(Typ): 64.7nC
- Rth(JC): 1.1K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
- Id@TC 25C: -23A
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- 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ,Qg(Typ): 26.0nC,Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ,Qg(Typ): 18.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
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