N沟道场效应管

IRL540NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4110

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7746

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 10.6mΩ
  • Id: 59A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ310

MMBFJ310

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3705N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
  • Id: 77A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

J111_D26Z

J111_D26Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-33143-TR2G

ATF-33143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

PF5102

PF5102

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRLB3036

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7468

IRF7468

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 15.5mΩ
  • Id: 9.0A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8707PBF-1

IRF8707PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

BSR56

BSR56

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7934

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 76A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管