N沟道场效应管

IRL3103S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
  • Id: 64A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

BF512,215

BF512,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3710Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 18.0mΩ
  • Id: 59A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7452

IRF7452

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7434

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
  • Id: 320A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5302

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.1mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6892S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 1.7mΩ
  • Id: 125A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2204

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.6mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5210

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 14.9mΩ
  • Id: 55A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

J106

J106

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3707Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.5mΩ
  • Id: 39A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

2SK932-22-TB-E

2SK932-22-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

2SK209-Y(TE85L,F)

2SK209-Y(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:3 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

2SK715W

2SK715W

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRLTS6342

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管