N沟道场效应管

IRFR4510

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 63A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-541M4-BLK

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:5 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7437

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.0mΩ
  • Id: 250A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7478PBF-1

IRF7478PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFIZ48N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2907ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 170A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3305

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 140A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM831

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.8mΩ
  • Id: 47A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3207

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7534

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 195A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-33143-BLKG

ATF-33143-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3557-7-TB-E

2SK3557-7-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFBA90N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
  • Id: 98A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP2907

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 209A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP7530

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.0mΩ
  • Id: 281A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管