N沟道场效应管

IRL3705ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3004

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.75mΩ
  • Id: 340A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6785

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Id: 19A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

BF861A,215

BF861A,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4568

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
  • Id: 171A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRF630N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 300.0mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3410

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 39.0mΩ
  • Id: 31A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5206

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.7mΩ
  • Id: 89A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7469

IRF7469

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 17.0mΩ
  • Id: 9.0A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRLI3705N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
  • Id: 47A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ34NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 29A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

BFR31,215

BFR31,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-331M4-TR2

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-331M4-TR1

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL4510

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管