N沟道场效应管

IRF6636

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6623

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.7mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2903Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 260A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3796-3-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRL1004S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3806

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.8mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU2905

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 27mΩ
  • Id: 23A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7450

IRF7450

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 170.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

BSR58,215

BSR58,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRLS3034

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.7mΩ
  • Id: 343A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2807Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.4mΩ
  • Id: 89A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1404Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.7mΩ
  • Id: 190A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

2SK208-Y(TE85R,F)

2SK208-Y(TE85R,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:3 mA
Maximum Drain Gate Voltage:50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

5HN01C-TB-E

5HN01C-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:50 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:±20 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4321

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 15.5mΩ
  • Id: 78A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管