N沟道场效应管

IRFB4410Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 97A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1310N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 36.0mΩ
  • Id: 42A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0060-10U

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150(Min) V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Screw
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

2N5564-2

电气特性 Features

Configuration:Dual
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL4020

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB23N15D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
  • Id: 23A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7665S2

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 62.0mΩ
  • Id: 14.4A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5458

MMBF5458

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6648

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6645

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 35.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5484

MMBF5484

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1010EZ

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
  • Id: 84A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR9N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 380.0mΩ
  • Id: 9.4A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF540NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 33A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管