N沟道场效应管

IRFH7110

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • Id: 58A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

2SK208-Y(TE85R,F)

2SK208-Y(TE85R,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:3 mA
Maximum Drain Gate Voltage:50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFY044

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 16A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR7440

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5302

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.1mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3607

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ620,115

PMBFJ620,115

电气特性 Features

Configuration:Dual
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR3636

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 6.8mΩ
  • Id: 99A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRLL2703

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5206

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.7mΩ
  • Id: 89A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8303

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.1mΩ
  • Id: 280A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-551M4-TR1

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7434

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
  • Id: 320A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3796-2-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7430

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
  • Id: 409A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管