N沟道场效应管

IRLU3410

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 105mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7430

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
  • Id: 409A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3710Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 18mΩ
  • Id: 39A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2804S-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
  • Id: 320A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7914

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.7mΩ
  • Id: 35A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP260N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 49A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

CPH3910-TL-E

CPH3910-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRLHM620

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
  • Id: 40A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

J211_D74Z

J211_D74Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

BF556A,215

BF556A,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:7 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

2SK596S-B

2SK596S-B

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:1 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-20 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

J112_D26Z

J112_D26Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3006-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.1mΩ
  • Id: 293A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4229

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 46.0mΩ
  • Id: 46A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4392

MMBF4392

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管