N沟道场效应管

IRF6613

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.4mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7779L2

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 67A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ202

MMBFJ202

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6674

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 67A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF640N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ620,115

PMBFJ620,115

电气特性 Features

Configuration:Dual
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1503S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 190A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6631

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.8mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-35143-BLKG

ATF-35143-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

PF5102

PF5102

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3705ZL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7530-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
  • Id: 240A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1405S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.3mΩ
  • Id: 131A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRLHS6342

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • Id: 19A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

2SK932-23-TB-E

2SK932-23-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管