N沟道场效应管

BF545C,215

BF545C,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:25 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7171M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 93A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFL4310

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

J111

J111

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4368

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.8mΩ
  • Id: 350A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP250N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 30A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6622

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.3mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM8342

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 28A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF5801PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

J310G

J310G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-65 to 125 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7402

IRF7402

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR825

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 500V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1300.0mΩ
  • Id: 6.0A
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ATF-331M4-BLK

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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IRLZ24N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3610S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.6mΩ
  • Id: 103A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管