N沟道场效应管

IRFR3518

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 80V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 29.0mΩ
  • Id: 38A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4127

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Id: 76A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU4510

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 45A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5459

MMBF5459

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3205L

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRLIZ34N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 35.0mΩ
  • Id: 20A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

BSR57

BSR57

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ24N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
  • Id: 17A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ46NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.5mΩ
  • Id: 53A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-541M4-TR1

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:5 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4620

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 72.5mΩ
  • Id: 25A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

2SK2394-7-TB-E

2SK2394-7-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRF520N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • Id: 9.7A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRFY240

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 180.0mΩ
  • Id: 10.2A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1607

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
  • Id: 142A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-31 Tag标签:N沟道场效应管