N沟道场效应管

IRL1004

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 130A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP7430

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
  • Id: 404A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRL1404S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.0mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU3410

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 105mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF4104S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.5mΩ
  • Id: 120A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7832

IRF7832

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0060S-10U

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150(Min) V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6643

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 34.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB5620

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 72.5mΩ
  • Id: 25A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3703

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.8mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3205ZL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7437

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.0mΩ
  • Id: 250A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8010

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5015

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 31.0mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2804S-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
  • Id: 320A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管