更新于 2025-03-06
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 98mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
IRF7316PBF-1
相关文章
- 双P沟道MOS管,Vbrdss: -12V,Vgs(Max): 8V,RDS(on) Max@4.5V: 17mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 12V,Rth(JA): 86℃/W
- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 75.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 180.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 45.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 90.0mΩ,Qg Typ N-ch: 16.7nC,Qg Typ P-ch: 16.7nC,Qgd Typ N-ch: 5.3nC,Qgd Typ P-ch: 6.0nC,Rth(JA): 50℃/W
- 1N-1P双沟道MOS管,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 175.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 110.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 200.0mΩ,Qg Typ N-ch: 7.8nC,Qg Typ P-ch: 7.5nC,Qgd Typ N-ch: 2.5nC,Qgd Typ P-ch: 2.5nC,Rth(JA): 100℃/W
- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on)@4.5V N-ch: 140.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 270.0mΩ,RDS(on)@2.7V N-ch: 200.0mΩ,RDS(on)@2.7V P-ch: 400.0mΩ,Qg Typ N-ch: 5.3nC,Qg Typ P-ch: 5.4nC,Qgd Typ N-ch: 2.2nC,Qgd Typ P-ch: 2.4nC,Rth(JA): 100℃/W