更新于 2025-07-07电气特性 Features
- 双N沟道带肖特基的MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 2.1mΩ
- Rth(JA): 31 (Q2)℃/W
相关文章
- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 80.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 160.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 50.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 100.0mΩ,Qg Typ N-ch: 16.7nC,Qg Typ P-ch: 16.7nC,Qgd Typ N-ch: 5.3nC,Qgd Typ P-ch: 6.0nC,Rth(JA): 90℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 50V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 200mΩ,Rth(JA): 50℃/W
- 双P沟道MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 98mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双P沟道MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W
- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 40.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 103.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 27.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 64.0mΩ,Qg Typ N-ch: 6.8nC,Qg Typ P-ch: 8.1nC,Qgd Typ N-ch: 0.98nC,Qgd Typ P-ch: 2.1nC,Rth(JA): 62.5℃/W