IRF7389

相关文章

电气特性 Features

• 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 150.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 100.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 250.0mΩ,Qg Typ N-ch: 6.9nC,Qg Typ P-ch: 6.1nC,Qgd Typ N-ch: 1.8nC,Qgd Typ P-ch: 1.1nC,Rth(JA): 62.5℃/W

更新于 2025-07-07

电气特性 Features

• 双N沟道MOS管,Vbrdss: 200V,Vgs(Max): 20V,Rth(JA): 65℃/W

更新于 2025-07-07

电气特性 Features

• 双N沟道MOS管,Vbrdss: 20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on) Max@4.5V: 135mΩ,Rth(JA): 100℃/W

更新于 2025-07-07

电气特性 Features

• 1N-1P双沟道MOS管,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 175.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 110.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 200.0mΩ,Qg Typ N-ch: 7.8nC,Qg Typ P-ch: 7.5nC,Qgd Typ N-ch: 2.5nC,Qgd Typ P-ch: 2.5nC,Rth(JA): 100℃/W

更新于 2025-07-07

电气特性 Features

• 双N沟道MOS管,Vbrdss: 80V,Vgs(Max): 20V,Rth(JA): 62.5℃/W

更新于 2025-07-07