N沟道场效应管

IRFS7537

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 173A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP3006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3713

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR13N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 235.0mΩ
  • Id: 14A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7855

IRF7855

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.4mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3315S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 82.0mΩ
  • Id: 21A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRL7486M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.25mΩ
  • Id: 209A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3607

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL4310

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
  • Id: 140A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRLMS1503

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7799L2

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 38.0mΩ
  • Id: 35A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ46Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.6mΩ
  • Id: 51A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH4234

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.6mΩ
  • Id: 60A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

3SK263-5-TG-E

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Gate
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Gate Source Voltage:8 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4321

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
  • Id: 83A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管