N沟道场效应管

IRLR3705Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 89A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-09 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP064N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 98A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-09 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-551M4-BLK

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-09 Tag标签:N沟道场效应管

2SK209-Y(TE85L,F)

2SK209-Y(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:3 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-09 Tag标签:N沟道场效应管

IRFI540N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 52.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-09 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ44V

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.5mΩ
  • Id: 55A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-09 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR7821

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
  • Id: 65A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-09 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU3410

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 105mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-09 Tag标签:N沟道场效应管

2SK2394-7-TB-E

2SK2394-7-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-09 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7934

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 76A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-09 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-33143-TR1G

ATF-33143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-09 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP044N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Id: 49A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-09 Tag标签:N沟道场效应管

IRFI1010N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
  • Id: 44A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-09 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6628

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-09 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML2803TRPBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 250.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-09 Tag标签:N沟道场效应管