N沟道场效应管

IRF3709Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.3mΩ
  • Id: 87A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFI4227

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 22.0mΩ
  • Id: 26A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFI1010N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
  • Id: 44A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR024N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 16A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5053

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 18.0mΩ
  • Id: 46A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3103S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
  • Id: 64A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

BSR56,215

BSR56,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7807Z

IRF7807Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.8mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ308,215

PMBFJ308,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5010

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

2N4858

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8201

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 0.95mΩ
  • Id: 324A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ44ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 51A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ620,115

PMBFJ620,115

电气特性 Features

Configuration:Dual
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR7821

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
  • Id: 65A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管