N沟道场效应管

IRFH8324

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.1mΩ
  • Id: 90A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

CPH3910-TL-E

CPH3910-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2204

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.6mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6636

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU48Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11mΩ
  • Id: 44A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-34143-TR2G

ATF-34143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:145 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4137

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 300V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 69.0mΩ
  • Id: 38A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRLB8743

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.2mΩ
  • Id: 150A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

SMMBF4393LT1G

SMMBF4393LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ46N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.5mΩ
  • Id: 46A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

BSR58

BSR58

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1018ES

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 79A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ48V

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
  • Id: 72A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR3802

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 12V
  • Vgs: 12V
  • Id: 84A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3796-2-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管