N沟道场效应管

IRFZ48ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7799L2

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 38.0mΩ
  • Id: 35A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7749L2

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.5mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6644

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6678

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML2402TRPBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS23N15D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
  • Id: 23A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7490

IRF7490

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 39.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3077

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFI4410Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 9.3mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRL1004

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 130A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU2905

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 27mΩ
  • Id: 23A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

PMBF4392,215

PMBF4392,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:75 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3205

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 98A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管