N沟道场效应管

2SK2394-6-TB-E

2SK2394-6-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

BFR30,235

BFR30,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRL520NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 180.0mΩ
  • Id: 10A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF640N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7946

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
  • Id: 198A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP250M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 30A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7746

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 10.6mΩ
  • Id: 59A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1407

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.8mΩ
  • Id: 130A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5486

MMBF5486

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6620

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.7mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU1018E

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0035-50,112

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150 V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Screw
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRLL024N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 65.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

J113

J113

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7402

IRF7402

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管