N沟道场效应管

IRF7493PBF-1

IRF7493PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 80V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF640NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFML8244

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 24.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3713

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRLS3036-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 1.9mΩ
  • Id: 300A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8736

IRF8736

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7534

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 195A
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ATF-35143-TR2G

ATF-35143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ44N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
  • Id: 41A
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BF511,215

BF511,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB59N10D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 25.0mΩ
  • Id: 59A
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MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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IRFY140

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 77.0mΩ
  • Id: 16A
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IRFR024N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 16A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

BF512,215

BF512,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管