N沟道场效应管

IRF6710S2

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
  • Id: 37A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3710Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 18.0mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

2N4393-E3

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

BF862,235

BF862,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:40 mA
Maximum Gate Source Voltage:-20 V
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

BF861B,215

BF861B,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7430

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
  • Id: 409A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5486

MMBF5486

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-541M4-TR2

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:5 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML0030PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 27.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7437-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
  • Id: 295A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4768

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
  • Id: 93A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7534-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.95mΩ
  • Id: 240A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3709ZC

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS23N15D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
  • Id: 23A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7807Z

IRF7807Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.8mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管