N沟道场效应管

IRFH5220

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 99.9mΩ
  • Id: 20A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR6225

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFI530N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
  • Id: 11A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3805S-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.6mΩ
  • Id: 240A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH4226

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7437

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.8mΩ
  • Id: 250A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-01 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-38143-TR1G

ATF-38143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:4.5 V
Maximum Continuous Drain Current:145 mA
Maximum Gate Source Voltage:-4 V
Maximum Drain Gate Voltage:-4 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-01-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP3206

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7463

IRF7463

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-01-01 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-54143-TR2G

ATF-54143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-01-01 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5458

MMBF5458

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-01-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRL7833S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 150A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8325

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.0mΩ
  • Id: 82A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3415

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 42.0mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-01 Tag标签:N沟道场效应管

J112

J112

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-01-01 Tag标签:N沟道场效应管