N沟道场效应管

IRF2805

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
  • Id: 175A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7440

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 159A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8010S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3709ZC

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6727M

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.7mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7730-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2mΩ
  • Id: 269A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP260N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 49A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-54143-BLKG

ATF-54143-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4115

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.1mΩ
  • Id: 99A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7185

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.2mΩ
  • Id: 123A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRL1404

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.0mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

BF556A,215

BF556A,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:7 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF540NL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 33A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3707Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.5mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管