N沟道场效应管

IRFI1010N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
  • Id: 44A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

2SK715V-AC

2SK715V-AC

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

BSR56,215

BSR56,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3707Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.5mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR4510

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 63A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6678

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ44N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
  • Id: 41A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7862

IRF7862

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7085

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.2mΩ
  • Id: 147A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR7740

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.2mΩ
  • Id: 87A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4392LT1G

MMBF4392LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6711S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 84A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-54143-TR2G

ATF-54143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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IRFB4710

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 14.0mΩ
  • Id: 75A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7437

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.0mΩ
  • Id: 250A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管