N沟道场效应管

IRLHS6242

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
  • Id: 22A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5204

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.3mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

BF545A,215

BF545A,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:6.5 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML0040

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 56.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

BF862,215

BF862,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:40 mA
Maximum Gate Source Voltage:-20 V
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRL1404

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.0mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ211

MMBFJ211

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7469

IRF7469

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 17.0mΩ
  • Id: 9.0A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRLP3034

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.7mΩ
  • Id: 327A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6718L2

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 0.70mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2907ZS-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8304M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
  • Id: 170A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5250

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.15mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5485

MMBF5485

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管

BF861B,235

BF861B,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-05-05 Tag标签:N沟道场效应管