N沟道场效应管

IRFU3707Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.5mΩ
  • Id: 39A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4332

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 33.0mΩ
  • Id: 57A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ112,215

PMBFJ112,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU2405

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16mΩ
  • Id: 40A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

2SK545-11D-TB-E

2SK545-11D-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:1 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7194

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.4mΩ
  • Id: 35A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3806

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.8mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFIZ48N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3703

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.8mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7807

IRF7807

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR1018E

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 79A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IJW120R070T1FKSA1

IJW120R070T1FKSA1

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:1200 V
Maximum Continuous Drain Current:0.035 mA
Maximum Gate Source Voltage:2 V
Operating Temperature:-55 to 175 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6713S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 95A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8307

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5458

MMBF5458

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-30 Tag标签:N沟道场效应管