N沟道场效应管

IRF7855

IRF7855

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.4mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

2SK715U

2SK715U

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4127

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Id: 76A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4710

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 14.0mΩ
  • Id: 75A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4568

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
  • Id: 171A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP150N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 36.0mΩ
  • Id: 39A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU4105Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 24.5mΩ
  • Id: 21A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU7440

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 125A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRL7833S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 150A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR15N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 165.0mΩ
  • Id: 17A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRF100B202

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.6mΩ
  • Id: 97A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRFML8244

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 24.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

BF545B,215

BF545B,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:15 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管