N沟道场效应管

IRF3315S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 82.0mΩ
  • Id: 21A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-10 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-35143-TR1G

ATF-35143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7748L1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
  • Id: 148A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB33N15D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 56.0mΩ
  • Id: 33A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7807VPBF-1

IRF7807VPBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
N沟道场效应管 更新于 2025-07-10 Tag标签:N沟道场效应管

2SK880-GR(TE85L,F)

2SK880-GR(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:6.5 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3703

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.8mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRLP3034

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.7mΩ
  • Id: 327A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRL520N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 180.0mΩ
  • Id: 10A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS59N10D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 25.0mΩ
  • Id: 59A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-10 Tag标签:N沟道场效应管

2SK715V-AC

2SK715V-AC

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7749L1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.5mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7540

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.1mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5207

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.6mΩ
  • Id: 71A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-10 Tag标签:N沟道场效应管

BF556A,235

BF556A,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:7 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2025-07-10 Tag标签:N沟道场效应管