N沟道场效应管

IRFR3411

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 32A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF5802

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 1200.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRLS3036-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 1.9mΩ
  • Id: 300A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

PMBF4392,215

PMBF4392,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:75 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-35143-TR1G

ATF-35143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8301M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.5mΩ
  • Id: 192A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4117

MMBF4117

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

J112_D74Z

J112_D74Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

J113

J113

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3407Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.4mΩ
  • Id: 122A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR8259

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.7mΩ
  • Id: 57A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6631

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.8mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

2N4119A-E3

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 175 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF100B202

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.6mΩ
  • Id: 97A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM8334

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管