N沟道场效应管

IRFH5250D

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7734

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 183A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1607

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
  • Id: 142A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF530NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
  • Id: 17A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-33143-TR1G

ATF-33143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1324S-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 24V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
  • Id: 429A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRL540NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH4226

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR3110Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 14.0mΩ
  • Id: 63A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7107

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
  • Id: 75A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7480M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.2mΩ
  • Id: 217A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ108,215

PMBFJ108,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-55143-BLKG

ATF-55143-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8337

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.8mΩ
  • Id: 35A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7185

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.2mΩ
  • Id: 123A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-19 Tag标签:N沟道场效应管