N沟道场效应管

IRLH6224

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
  • Id: 105A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3808S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
  • Id: 105A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3207Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.1mΩ
  • Id: 170A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-35143-TR1G

ATF-35143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

2SK208-GR(TE85L,F)

2SK208-GR(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:6.5 mA
Maximum Drain Gate Voltage:50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-541M4-TR2

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:5 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

2SK209-GR(TE85L,F)

2SK209-GR(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:6.5 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3410

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 39.0mΩ
  • Id: 31A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6894M

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3710

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
  • Id: 57A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRLP3034

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.7mΩ
  • Id: 327A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7446

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 123A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

BFR30,235

BFR30,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4410Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 97A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4332

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 33.0mΩ
  • Id: 57A
N沟道场效应管 更新于 2026-05-01 Tag标签:N沟道场效应管