N沟道场效应管

IRLML2060

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3704ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.9mΩ
  • Id: 67A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5459

MMBF5459

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4117

MMBF4117

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU3705Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8mΩ
  • Id: 63A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP140N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 52.0mΩ
  • Id: 27A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4310

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
  • Id: 130A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

PMBF4393,215

PMBF4393,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFBA1405P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.0mΩ
  • Id: 174A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6724M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 150A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR2405

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7188

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6mΩ
  • Id: 105A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH3707

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.4mΩ
  • Id: 29A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3557-6-TB-E

2SK3557-6-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRL2505

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 104A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管