N沟道场效应管

IRF6810S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 5.2mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

MX2N4856

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7545

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.2mΩ
  • Id: 85A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5015

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 31.0mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

J112_D74Z

J112_D74Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0060S-10U

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150(Min) V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML0030

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 27.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

BF513,215

BF513,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6616

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3206

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL4310Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
  • Id: 127A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

2SK209-BL(TE85L,F)

2SK209-BL(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:14 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

2SK715W

2SK715W

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8721

IRF8721

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR48Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 62A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管